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BCR 148S H6433详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 频率_转换：100MHz; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：带卷 (TR)

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749108-6
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单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
C0402T103K4RALTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 10% X7R 0402
C016 30C006 100 12
连接器，互连器件 Amphenol-Tuchel Electronics 0402（1005 公制） CONN MALE RCPT 6+PE SOLDER SILVR
BAS 4002A RPP E6327
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单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35
BCR 149T E6327
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies SC-75，SOT-416 TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75

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